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MBE源

关于MBE领域的应用，，，我们提供多种差别的高纯金属质料及其化合物，，，同时也提供先进的手艺支持，，，包括半导体掺杂、热沉积，，，真空镀膜，，，MOCVD等。。

我们可提供高纯度（MBE级）金属作为种种形状的MBE的外延源，，，并作为生长GaAs、InP、InSb、GaSb、CdTe、CdTe和CdZnTe晶体的源金属，，，以及掺杂和其他源质料。。


铝Al

铝Al

制造半导体器件金属化层(薄膜)。。
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砷As

砷As

高纯砷被普遍应用于制备化合物半导体，，，如砷化镓、砷化铟等，，，也是半导体质料锗和硅的掺杂元素，，，这些质料被用于制造二极管、发光二极管、红外线发射器、激光器等器件。。别的，，，砷的化合物还用于防腐剂、染料和医药等领域。。
硼B

硼B

硼元素是半导体中常用的p型杂质元素，，，它能够对半导体的导电性能和晶体结构爆发显著的影响，，，普遍应用于泛半导体行业；；用作半导体质料硅的掺杂剂。。
铍Be

铍Be

应用于泛半导体行业；；作为分子束外延用源质料。。
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镓Ga

镓Ga

分子束外延(MBE)的镓源；；制备半导体质料。。制造激光二极管和太阳能电池。。
红磷P

红磷P

用于制备半导体化合物如磷化铟（lnP）、磷化镓（GaP）等及半导体衬底/外延质料掺杂试剂。。
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铟In

铟In

用于分子束外延用源质料、半导体质料掺杂源、制备ITO靶材。。
锑Sb

锑Sb

用于制备高纯合金、红外质料；；太阳能电池P型质料，，，N型硅单晶的掺杂源。。

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